De 1e letter geeft informatie over het materiaal waaruit de halfgeleider vervaardigd is.

• A: germanium, of in het algemeen een materiaal met een energieband afstand van 0,6 eV tot 1,0 eV
• B: silicium, of in het algemeen een materiaal met een energieband afstand van 1,0 eV tot 1,3 eV
• C: gallium arsenide, of in het algemeen een materiaal met een energieband afstand van meer dan 1,3 eV
• R: materialen voor fotogevoelige en magnetisch gevoelige halfgeleiders, bijvoorbeeld cadmium sulfide

De 2e letter geeft informatie over het toepassingsgebied van het onderdeel.

• A: algemene laagvermogen diode voor hoogfrequent toepassingen, mengschakelingen en schakeltoepassingen
• B: diode met veranderlijke capaciteit, varicap
• C: klein signaal transistor voor audio toepassingen met thermische weerstand groter dan 15 °K/W
• D: vermogenstransistor voor audio toepassingen met thermische weerstand kleiner dan 15 °K/W
• E: tunnel diode, Esaki diode
• F: klein signaal hoogfrequent transistor met thermische weerstand groter dan 15 °K/W
• G: diode voor hoogfrequente oscillatie- toepassingen
• H: onderdeel dat reageert op variaties in een magnetisch veld, zoals Hall-elementen
• L: vermogenstransistor voor hoogfrequent toepassingen met thermische weerstand kleiner dan 15 °K/W
• N: optische koppelaar
• P: onderdeel dat gevoelig is voor straling
• Q: diode die straling uitzendt, zoals een LED
• R: laagvermogen thyristor of triac met thermische weerstand groter dan 15 °K/W
• T: hoogvermogen thyristor of triac met thermische weerstand kleiner dan 15 /W
• U: hoogvermogen transistor voor schakel toepassingen met thermische weerstand kleiner dan 15 °K/W
• X: diode als vermenigvuldiger gebruikt, bijvoorbeeld een varactor
• Y: vermogensdiode, zoals gelijkrichter en booster
• Z: zenerdiode, referentiediode, spanningsbegrenzende diode

De 3e letter die niet verplicht is, geeft aan dat de halfgeleider ontwikkeld is voor professionele of militaire toepassingen. Hiervoor worden de letters S, T, V, W, X, Y of Z gebruikt waarbij geen logische verklaring te vinden is voor de keuze van een bepaalde letter.

Het Serienummer geeft aan in het bereik van 100 tot 9999 en geeft weer een indicatie over de productiedatum van het onderdeel.

Het Achtervoegsel dat niet verplicht is, bestaat uit één letter die informatie geeft over de stroomversterking hfe van de transistor of de tolerantie van een zenerdiode.

• A: voor bipolaire transistoren: versterking hfe tussen 100 en 260
  voor unipolaire transistoren: drainstroom tussen 2 mA en 7 mA
  voor zenerdioden: tolerantie +/-1 %
• B: voor bipolaire transistoren: versterking hfe tussen 240 en 500
  voor unipolaire transistoren: drainstroom tussen 6 mA en 15 mA
  voor zenerdioden: tolerantie +/-2 %
• C: voor bipolaire transistoren: versterking hfe tussen 450 en 900
  voor unipolaire transistoren; drainstroom tussen 12 mA en 25 mA
  voor zenerdioden: tolerantie +/-5 %
• D: voor zenerdioden: tolerantie +/-10 %